반도체 웨이퍼 층 두께 측정

반도체 웨이퍼에 미세 구조의 전자 회로를 만드는 일은 고도로 복잡한 공정입니다. 이 회로가 정해진 요건을 충족하여 강인한 웹 및 적층 구조를 갖추도록 하면서 동시에 확실히 불량품을 줄일 수 있으려면 층 두께 측정은 필수적입니다. 붙인 층의 두께가 µm 범위에 해당하기 때문에 적정 측정 시스템을 동원해야 합니다. OC Sharp은 이러한 과제에 이상적입니다. 이 거리 센서로 반도체 웨이퍼의 층 두께를 3µm부터 nm까지 수준의 분해능으로 측정할 수 있습니다.

  • 다음 제품 라인을 사용할 수 있습니다.
    OC Sharp
    OC Sharp
    최고의 정밀도를 위한 크로매틱 공초점 측정 기술
    • 600µm부터 12mm까지 다양한 측정 범위
    • 크로매틱 공초점 센서 기술로 최고의 신뢰도와 정확성 확보
    • 4,000Hz에 달하는 높은 측정 빈도
    • 매우 다양한 재료 및 색상에 대해 확실한 측정 작업 수행
    • 단 1개의 센서 헤드로 투명한 재료의 두께 측정(30µm 두께부터 크로매틱 공초점 방식 적용, 3µm 두께부터 간섭 측정 방식 적용)
    • 초소형 대상을 측정하기 위한 매우 작은 광점
    • OC Sharp 소프트웨어를 이용한 간편한 설정
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