Messung von Schichtdicken auf Halbleiterwafern

Die Herstellung von elektronischen Schaltungen in Mikrostruktur auf Halbleiterwafern ist ein hoch komplexer Prozess. Um sicherzustellen, dass diese Schaltungen definierten Anforderungen genügen – also robuste Bahn- und Schichtstrukturen aufweisen – und um gleichzeitig Materialausschuss zu reduzieren, sind Messungen der Schichtdicken unabdingbar. Da die Dicken der aufgetragenen Schichten im µm-Bereich liegen, muss ein geeignetes Messsystem zum Einsatz kommen. Der OC Sharp ist für derartige Aufgabenstellungen bestens geeignet. Mit diesem Distanzsensor lassen sich die Schichtdicken von Halbleiterwafern bereits ab 3 µm sowie in einer Auflösung im nm-Bereich genauestens bestimmen.

  • Folgende Produktfamilien können eingesetzt werden
    Chromatisch-konfokale Messtechnik für allerhöchste Präzision
    • Zahlreiche Messspannen von 600 µm bis 12 mm
    • Chromatisch-konfokale Sensortechnologie für höchste Zuverlässigkeit und Präzision
    • Schnelle Messfrequenz von bis zu 4.000 Hz
    • Zuverlässige Messung auf verschiedenste Materialien und Farben
    • Dickenmessung transparenter Materialien mit nur einem Sensorkopf (chromatisch- konfokal für Schichtdicken ab 30 µm und interferometrisch für Schichtdicken ab 3 µm).
    • Sehr kleiner Lichtfleck zur Vermessung kleinster Objekte
    • Komfortable Parametrierung mittels OC Sharp Software