Messung von Schichtdicken auf Halbleiterwafern
Die Herstellung von elektronischen Schaltungen in Mikrostruktur auf Halbleiterwafern ist ein hoch komplexer Prozess. Um sicherzustellen, dass diese Schaltungen definierten Anforderungen genügen – also robuste Bahn- und Schichtstrukturen aufweisen – und um gleichzeitig Materialausschuss zu reduzieren, sind Messungen der Schichtdicken unabdingbar. Da die Dicken der aufgetragenen Schichten im µm-Bereich liegen, muss ein geeignetes Messsystem zum Einsatz kommen. Der OC Sharp ist für derartige Aufgabenstellungen bestens geeignet. Mit diesem Distanzsensor lassen sich die Schichtdicken von Halbleiterwafern bereits ab 3 µm sowie in einer Auflösung im nm-Bereich genauestens bestimmen.